IXKH 35N60C5
TO-247 AD Outline
Symbol
A
A1
A2
D
E
E2
e
L
L1
?P
Q
S
b
b2
b4
c
D1
D2
E1
?P1
Inches
min max
0.185 0.209
0.087 0.102
0.059 0.098
0.819 0.845
0.610 0.640
0.170 0.216
0.215 BSC
0.780 0.800
- 0.177
0.140 0.144
0.212 0.244
0.242 BSC
0.039 0.055
0.065 0.094
0.102 0.135
0.015 0.035
0.515 -
0.020 0.053
0.530 -
- 0.291
Millimeters
min max
4.70 5.30
2.21 2.59
1.50 2.49
20.79 21.45
15.48 16.24
4.31 5.48
5.46 BSC
19.80 20.30
- 4.49
3.55 3.65
5.38 6.19
6.14 BSC
0.99 1.40
1.65 2.39
2.59 3.43
0.38 0.89
13.07 -
0.51 1.35
13.45 -
- 7.39
400
120
105
T J = 25°C
V GS = 20 V
10 V
8V
50
T J = 150°C
V GS = 20 V
10 V
8V
6V
7V
40
5.5 V
300
90
75
7V
30
200
60
6V
5V
45
5.5 V
20
4.5 V
100
30
15
5V
4.5 V
10
0
0
0
0
40
80
120
160
0
5
10
15
20
0
5
10
15
20
T C [°C]
V
DS
[V]
V
DS
[V]
Fig. 1 Power dissipation
Fig. 2 Typ. output characteristics
Fig. 3 Typ. output characteristics
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2009 IXYS All rights reserved
20090209c
3-4
相关PDF资料
IXKH47N60C MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
IXKH70N60C5 MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
IXKK85N60C MOSFET N-CH 600V 85A TO-264
IXKN40N60C MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B
IXKN45N80C MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B
IXKP10N60C5M MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP
IXKP10N60C5 MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
IXKP13N60C5M MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP
相关代理商/技术参数
IXKH47N60C 功能描述:MOSFET 47 Amps 600V 70 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKH70N60C5 功能描述:MOSFET 70 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKK85N60C 功能描述:MOSFET 85 Amps 600V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKN40N60 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:CoolMOS Power MOSFET
IXKN40N60C 功能描述:MOSFET 40 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKN45N80C 功能描述:MOSFET 45 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKN75N60 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:CoolMOS Power MOSFET
IXKN75N60C 功能描述:MOSFET 75 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube